5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FS10UMH-3
FS10UMH-3 PDF预览

FS10UMH-3

更新时间： 2024-11-23 20:05:55
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

FS10UMH-3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.165 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FS10UMH-3 数据手册

 浏览型号FS10UMH-3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FS10UMH-3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FS10UMH-3的Datasheet PDF文件第4页 
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET  
FS10UMH-3  
HIGH-SPEED SWITCHING USE  
FS10UMH-3  
OUTLINE DRAWING  
Dimensions in mm  
4.5  
1.3  
10.5MAX.  
r
f 3.6  
1.0  
0.8  
D
2.54  
2.54  
0.5  
2.6  
q
w e  
w r  
q GATE  
¡2.5V DRIVE  
w DRAIN  
e SOURCE  
r DRAIN  
q
¡VDSS ............................................................................... 150V  
¡rDS (ON) (MAX) ...........................................................160mΩ  
¡ID ........................................................................................ 10A  
¡Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ............ 90ns  
e
TO-220  
APPLICATION  
Motor control, Lamp control, Solenoid control  
DC-DC converter, etc.  
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
VGS = 0V  
VDS = 0V  
150  
±10  
V
10  
A
IDM  
IDA  
Drain current (Pulsed)  
40  
A
Avalanche drain current (Pulsed) L = 100µH  
Source current  
10  
A
IS  
10  
40  
A
ISM  
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
A
PD  
45  
W
°C  
°C  
g
Tch  
–55 ~ +150  
–55 ~ +150  
2.0  
Tstg  
—
Storage temperature  
Weight  
Typical value  
Feb.1999  
1234

中文翻译

下载PDF

与FS10UMH-3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS10UMJ03 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
FS10UMJ06 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
FS10UMJ2 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
FS10UMJ3 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
FS10VS03 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB
FS10VS-03 POWEREX

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS10VS-03-T2 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS10VS06 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB
FS10VS-06 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS10VS-06 POWEREX

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与FS10UMH-3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证