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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | LEAD FREE, I2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.34 | 雪崩能效等级（Eas）： | 360 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI9N50TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| FQI9N50TU | ROCHESTER |
获取价格 |
9A, 500V, 0.73ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 |
|
| FQI9P25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V P-Channel MOSFET |
|
| FQK1623 | NEC |
获取价格 |
Ferrite Cores |
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| FQK2522 | NEC |
获取价格 |
Ferrite Cores |
|
| FQK2532 | NEC |
获取价格 |
Ferrite Cores |
|
| FQL40N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQL40N50 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，40 A，110 mΩ，TO-264 |
|
| FQL40N50F | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQL40N50F | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，FRFET®，500 V，40 A，110mΩ， |
|
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