5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | I2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 990 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 52.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 210 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI50N06TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET 60V, 50A, 22mΩ, 3LD, TO262, JEDEC VARIATION AA (I |
|
| FQI50N06TU | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 60V，50A，22mΩ |
|
| FQI55N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQI55N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
|
| FQI55N10TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQI58N08 | FAIRCHILD |
获取价格 |
80V N-Channel MOSFET |
|
| FQI58N08TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 57.5A I(D), 80V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FQI5N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQI5N15TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQI5N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
