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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQI5N60CTU | ROCHESTER |
获取价格 |
4.5A, 600V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, LEAD FREE, I2PAK-3 |
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| FQI5N60CTU | FAIRCHILD |
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N-Channel QFET® MOSFET 600V, 4.5A, 2.5Ω, 3LD, TO262, JEDEC VARIATION AA |
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| FQI5N60CTU | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 600 V、4.5 A、2.5 Ω |
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| FQI5N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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| FQI5N80TU | ROCHESTER |
获取价格 |
4.8A, 800V, 2.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 |
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| FQI5N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQI5N90TU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQI5P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
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| FQI5P10TU | ROCHESTER |
获取价格 |
4.5A, 100V, 1.05ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3 |
|
| FQI5P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
|
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