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FP402

更新时间： 2024-11-20 22:32:03
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三洋 - SANYO 开关
页数 文件大小 规格书
3页 95K
描述
Very High-Speed Switching Applicaitons

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FP402 数据手册

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Ordering number:EN5048  
FP402  
N-Channel MOS Silicon FET  
Very High-Speed  
Switching Applicaitons  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Low ON resistance.  
· Very high-speed switching.  
· Complex type with 2 low-voltage-drive N-channel  
MOSFETs facilitating high-density mounting.  
2102A  
[FP402]  
Electrical Connection  
1:Gate  
2:Drain  
3:Source  
4:Drain  
5:Gate  
6:Drain  
7:Drain  
1:Gate  
2:Drain  
3:Source  
4:Drain  
5:Gate  
6:Drain  
7:Drain  
(Top view)  
SANYO:PCP5  
(Bottom view)  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
Drain-to-Source Voltage  
V
20  
DSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
±15  
V
GSS  
I
1
A
D
Drain Current (Pulse)  
Allowable Power Dissipation  
I
4
A
PW≤10µs, duty cycle ≤1%  
DP  
P
D
P
D
P
T
Tch  
2.0  
0.8  
W
W
W
˚C  
˚C  
Tc=25˚C, 1 unit  
Mounted on ceramic board (250mm2×0.8mm) 1 unit  
Mounted on ceramic board (250mm2×0.8mm)  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
1.1  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditons  
Unit  
min  
20  
max  
D-S Breakdown Voltage  
V
I
=1mA, V =0  
D GS  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
I
V
V
V
V
I
=20V, V =0  
100  
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
I
=±12V, V =0  
DS  
=10V, I =1mA  
D
±10  
2.0  
GSS  
V
0.8  
0.6  
GS(off)  
| Y  
Forward Transfer Admittance  
Static Drain-to-Source ON-State Resistance  
|
=10V, I =500mA  
D
=500mA, V =10V  
GS  
1.0  
S
fs  
R
350  
550  
50  
45  
15  
8
480  
750  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
DS(on)  
D
R
I
=500mA, V =4V  
D GS  
DS(on)  
Ciss  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-ON Delay Time  
Rise Time  
V
V
V
=10V, f=1MHz  
DS  
Coss  
Crss  
=10V, f=1MHz  
DS  
=10V, f=1MHz  
DS  
t
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
d(on)  
t
10  
30  
20  
1.0  
r
Turn-OFF Delay Time  
Fall Time  
t
d(off)  
t
f
Diode Forward Voltage  
V
I
=1A, V =0  
S GS  
SD  
Marking:402  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters  
TOKYO OFFICE, Tokyo Bldg., 1-10 , Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
52098HA (KT)/41095TS (KOTO) TA-0099 No.5048-1/3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FP403 ETC

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