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FP40R12KE3V1

更新时间： 2024-11-20 23:52:31
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IGBT Module

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FP40R12KE3V1 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
FP40R12KE3  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier  
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
Tvj = 25°C  
VRRM  
1600  
60  
V
A
A
repetitive peak reverse voltage  
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom  
TC = 80°C  
IRMSmax  
maximum RMS current at Rectifier output  
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert proChip  
TC = 80°C  
IFRMSM  
IFSM  
50  
Forward current RMS maximum per Chip  
tP = 10 ms, Tvj = 25°C  
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
tP = 10 ms, Tvj = 25°C  
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
Stoßstrom Grenzwert  
surge forward current  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
315  
260  
500  
340  
A
A
A2s  
A2s  
I2t  
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
Tvj = 25°C  
VCES  
1200  
V
IC,nom.  
IC  
Tc = 80 °C  
TC = 25 °C  
40  
55  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms,  
TC = 25°C  
TC  
=
ICRM  
80 °C  
80  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
Ptot  
200  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
40  
80  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
tP = 1 ms  
IFRM  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
I2t  
A2s  
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C  
320  
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Tvj = 25°C  
VCES  
1200  
V
collector-emitter voltage  
TC = 80 °C  
IC,nom.  
IC  
15  
25  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
TC = 25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms, TC = 80°C  
ICRM  
Ptot  
30  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC = 25°C  
100  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
10  
20  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
tP = 1 ms  
IFRM  
prepared by: Andreas Schulz  
approved by: Robert Severin  
date of publication:23.04.2002  
revision: 2  
1(11)  
DB-PIM-IGBT3_2Serie.xls  
1234567...11

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