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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35 | 针数： | 35 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.11 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 55 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | COMPLEX | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X35 | 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 35 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 610 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 135 ns | VCEsat-Max： | 2.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FP40R12KE3GBOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| FP40R12KE3GV1 | ETC |
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IGBT Module |
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| FP40R12KE3V1 | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |
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| FP40R12KT3 | EUPEC |
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IGBT-inverter |
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| FP40R12KT3 | INFINEON |
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EconoPIM™ 2 1200 V、40 A 三相 PIM IGBT 模块，采用快速 T |
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| FP40R12KT3BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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| FP40R12KT3G | EUPEC |
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IGBT-modules |
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| FP40R12KT3G | INFINEON |
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EconoPIM? 3 1200 V, 40 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP? IGBT3 and NTC.? |
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| FP40R12KT3GBOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| FP4-100 | COOPER |
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General Purpose Inductor, 0.1uH, 15%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 4027, CHIP |
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