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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23 | 针数： | 35 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 16 weeks | 风险等级： | 5.55 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 54 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | COMPLEX |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X23 | 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 23 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 510 ns | 标称接通时间 (ton)： | 43 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FP35R12W2T4 | INFINEON |
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EasyPIM™ module with fast Trench/Fieldstop IG |
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| FP35R12W2T4_B11 | INFINEON |
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EasyPIM2B module PressFIT with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode |
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| FP35R12W2T4B11BOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| FP35R12W2T4P | INFINEON |
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TIM |
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| FP35R12W2T4P_B11 | INFINEON |
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TIM |
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| FP35R12W2T4PB11BPSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| FP35R12W2T4PBPSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| FP35R12W2T7 | INFINEON |
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EasyPACK™ 2B 1200 V, 35 A PIM IGBT模块，采用TRENCH |
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| FP35R12W2T7_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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| FP3622-I-22 | NEC |
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Ferrite Cores |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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