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Datasheet > 晶体管 > IGBT> FP35R12W2T4_B11
FP35R12W2T4_B11 PDF预览

FP35R12W2T4_B11

更新时间： 2024-11-21 10:23:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管双极性晶体管栅局域网
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11页 459K
描述
EasyPIM2B module PressFIT with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode

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FP35R12W2T4_B11 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35针数：35
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.65Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：54 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X35
元件数量：7端子数量：35
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：215 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：510 ns标称接通时间 (ton)：43 ns
VCEsat-Max：2.25 VBase Number Matches：1

FP35R12W2T4_B11 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FP35R12W2T4_B11  
EasyPIM™2B Modul PressFIT mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled4 Diode  
EasyPIM™2B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
35  
54  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
70  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C  
215  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 35 A, V•Š = 15 V  
I† = 35 A, V•Š = 15 V  
I† = 35 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ  
TÝÎ = 150°C  
1,85 2,25  
2,15  
2,25  
V
V
V
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 1,20 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
V•ŠÚÌ  
Q•  
5,2  
5,8  
0,27  
0,0  
6,4  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
2,00  
0,07  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
1,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 35 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 12 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓÒ  
0,025  
0,025  
0,025  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 35 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 12 Â  
TÝÎ = 25°C  
tØ  
0,013  
0,016  
0,018  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 35 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 12 Â  
TÝÎ = 25°C  
tÁ ÓËË  
0,24  
0,295  
0,31  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 35 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 12 Â  
TÝÎ = 25°C  
tË  
0,115  
0,17  
0,20  
µs  
µs  
µs  
TÝÎ = 125°C  
TÝÎ = 150°C  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 35 A, V†Š = 600 V, L» = 35 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, di/dt = 2500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
1,90  
2,90  
3,15  
mJ  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
R•ÓÒ = 12 Â  
TÝÎ = 150°C  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 35 A, V†Š = 600 V, L» = 35 nH TÝÎ = 25°C  
V•Š = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C  
2,00  
2,90  
3,20  
mJ  
mJ  
mJ  
R•ÓËË = 12 Â  
TÝÎ = 150°C  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C  
130  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,60 0,70 K/W  
0,60 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Daniel Kreuzer  
approved by: Marc Buschkühle  
date of publication: 2008-06-25  
revision: 2.0  
1
1234567...11

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与FP35R12W2T4_B11相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FP35R12W2T4B11BOMA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP35R12W2T4P INFINEON

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 		TIM
FP35R12W2T4P_B11 INFINEON

获取价格

 		TIM
FP35R12W2T4PB11BPSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP35R12W2T4PBPSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FP35R12W2T7 INFINEON

获取价格

 		EasyPACK™ 2B 1200 V, 35 A PIM IGBT模块，采用TRENCH
FP35R12W2T7_B11 INFINEON

获取价格

 		PressFIT
FP3622-I-22 NEC

获取价格

 		Ferrite Cores
FP38 POWER-ONE

获取价格

 		Filter & Ring Core Chokes
FP3-8R2 COOPER

获取价格

 		General Purpose Inductor, 8.2uH, 15%, 1 Element, Iron-Core, SMD, 2926, SMD

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