FP35R12KT4

更新时间： 2024-11-21 10:23:19

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英飞凌 - INFINEON		二极管双极性晶体管
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11页	441K
描述
EconoPIM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode

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FP35R12KT4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23	针数：	23
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.52	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	35 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X23	元件数量：	7
端子数量：	23	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	210 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	620 ns
标称接通时间 (ton)：	210 ns	VCEsat-Max：	2.25 V
Base Number Matches：	1

FP35R12KT4 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FP35R12KT4

EconoPIM™2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und EmCon4 Diode

EconoPIM™2 module with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Vorläufige Daten / preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

TÝÎ = 25°C

V†Š»

I† ÒÓÑ

I†ç¢

PÚÓÚ

1200

Kollektor-Dauergleichstrom

T† = 100°C, TÝÎ = 175°C

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

t« = 1 ms

repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

total power dissipation

210

+/-20

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V•Š»

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I† = 35 A, V•Š = 15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ

TÝÎ = 150°C

1,85 2,25

2,15

2,25

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I† = 1,20 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C

V•Š = -15 V ... +15 V

V•ŠÚÌ

Q•

5,2

5,8

0,27

0,0

6,4

µC

Gateladung

gate charge

Interner Gatewiderstand

internal gate resistor

TÝÎ = 25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

CØþÙ

I†Š»

I•Š»

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V

V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C

V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C

2,00

0,07

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

1,0 mA

100 nA

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-on delay time (inductive load)

I† = 35 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 27 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓÒ

0,16

0,17

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

I† = 35 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 27 Â

TÝÎ = 25°C

tØ

0,03

0,04

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-off delay time (inductive load)

I† = 35 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 27 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓËË

0,33

0,43

0,45

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

I† = 35 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 27 Â

TÝÎ = 25°C

tË

0,08

0,15

0,17

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

I† = 35 A, V†Š = 600 V, L» = 20 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, di/dt = 1100 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

3,90

5,10

5,60

EÓÒ

EÓËË

R•ÓÒ = 27 Â

TÝÎ = 150°C

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

I† = 35 A, V†Š = 600 V, L» = 20 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

2,10

3,10

3,40

R•ÓËË = 27 Â

TÝÎ = 150°C

Kurzschlussverhalten

SC data

V•Š ù 15 V, V†† = 900 V

V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt

I»†

t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C

130

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro IGBT / per IGBT

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,72 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

0,335

K/W

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

prepared by: Andreas Schulz

approved by: Robert Severin

date of publication: 2007-12-21

revision: 2.0

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