5秒后页面跳转
FP25R12KT4_B11 PDF预览

FP25R12KT4_B11

更新时间: 2024-03-12 21:01:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
12页 818K
描述
PressFIT

FP25R12KT4_B11 数据手册

 浏览型号FP25R12KT4_B11的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FP25R12KT4_B11的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FP25R12KT4_B11的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FP25R12KT4_B11的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FP25R12KT4_B11的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FP25R12KT4_B11的Datasheet PDF文件第9页 
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FP25R12KT4_B11  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
VISOL  
2,5  
Cu  
kV  
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
InnereꢀIsolation  
Internalꢀisolation  
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)  
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)  
Al2O3  
10,0  
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
mm  
mm  
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
7,5  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
> 200  
min. typ. max.  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀModulꢀ/ꢀperꢀmodule  
RthCH  
LsCE  
0,02  
60  
K/W  
nH  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀ/ꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
RCC'+EE'  
RAA'+CC'  
4,00  
3,00  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
mΩ  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
HöchstzulässigeꢀSperrschichttemperatur  
Maximumꢀjunctionꢀtemperature  
Wechselrichter,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀinverter,ꢀbrake-chopper  
Gleichrichterꢀ/ꢀrectifier  
175 °C  
150 °C  
Tvj max  
Tvj op  
Tstg  
M
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
Wechselrichter,ꢀBrems-Chopperꢀ/ꢀinverter,ꢀbrake-chopper  
Gleichrichterꢀ/ꢀrectifier  
-40  
-40  
150 °C  
150 °C  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
-40  
3,00  
-
125 °C  
6,00 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
Gewicht  
Weight  
G
180  
g
bei Betrieb mit Vge = 0V/+15V empfehlen wir einen Rgon,min von 36 Ohm und eine Rgoff,min von 36 Ohm (siehe AN 2006-01)  
for operation with Vge= 0V/+15V we recommend a Rgon,min of 36 ohms and a Rgoff,min of 36 ohms (see AN 2006-01)  
preparedꢀby:ꢀAS  
approvedꢀby:ꢀRS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25  
revision:ꢀ2.0  
6

与FP25R12KT4_B11相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FP25R12KT4_B15 INFINEON EconoPIM2 module with Trench/Fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode

获取价格

FP25R12KT4B11BOSA1 INFINEON Insulated Gate Bipolar Transistor

获取价格

FP25R12KT4B15BOSA1 INFINEON Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24

获取价格

FP25R12KT4BOSA1 INFINEON Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, MODULE-23

获取价格

FP25R12N2T7 INFINEON EconoPIM? 2?1200 V, 25 A three phase PIM IGBT module with TRENCHSTOP? IGBT7, Emitter Contr

获取价格

FP25R12U1T4 INFINEON SmartPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT /

获取价格