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FP15R06KL4

更新时间： 2024-09-16 10:23:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
11页 360K
描述
IGBT-modules

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FP15R06KL4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-23针数：23
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.1Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-T23
元件数量：7端子数量：23
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：260 ns标称接通时间 (ton)：70 ns
VCEsat-Max：2.55 VBase Number Matches：1

FP15R06KL4 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FP15R06KL4  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
600  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
15  
20  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
30  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
78,0  
+/-20  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 15 A, V•Š = 15 V  
I† = 15 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,95 2,55  
2,20  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 0,40 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
4,5  
5,5  
0,08  
0,0  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
0,65  
0,06  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
1,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 15 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 68 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,035  
0,035  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 15 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 68 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,03  
0,035  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 15 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 68 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,23  
0,23  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 15 A, V†Š = 300 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 68 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,02  
0,03  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 15 A, V†Š = 300 V, L» = 80 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 68 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
0,60  
0,40  
65  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 15 A, V†Š = 300 V, L» = 80 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 68 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 360 V  
I»†  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
1,45 1,60 K/W  
0,60 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Daniel Kreuzer  
approved by: Marc Buschkühle  
date of publication: 2007-12-14  
revision: 3.2  
1
1234567...11

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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