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FP10R06W1E3_B11

更新时间： 2024-02-03 11:42:08

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英飞凌 - INFINEON		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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12页	672K
描述
EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC

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FP10R06W1E3_B11 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23	针数：	23
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.02
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X23
元件数量：	7	端子数量：	23
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	68 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	260 ns
标称接通时间 (ton)：	26 ns	VCEsat-Max：	2 V
Base Number Matches：	1

FP10R06W1E3_B11 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R06W1E3_B11

Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)

output characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V†Š)

TÝÎ = 150°C

V•Š = 15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

V•Š = 19 V

V•Š = 17 V

V•Š = 15 V

V•Š = 13 V

V•Š = 11 V

V•Š = 9 V

0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0

V†Š [V]

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V†Š [V]

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)

transfer characteristic IGBT-inverter (typical)

I† = f (V•Š)

Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)

switching losses IGBT-inverter (typical)

EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)

V†Š = 20 V

V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 27 Â, R•ÓËË = 27 Â, V†Š = 300 V

0,8

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

EÓÒ, TÝÎ = 125°C

EÓËË, TÝÎ = 125°C

EÓÒ, TÝÎ = 150°C

EÓËË, TÝÎ = 150°C

0,6

0,4

0,2

0,0

8 9

V•Š [V]

I† [A]

prepared by: DK

approved by: MB

date of publication: 2010-07-29

revision: 3.0

1...4 5 678 9 10...12

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