Datasheet > 晶体管 > IGBT> FP10R06W1E3_B11

FP10R06W1E3_B11

更新时间： 2024-01-01 02:14:33

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英飞凌 - INFINEON		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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12页	672K
描述
EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC

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FP10R06W1E3_B11 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X23	针数：	23
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.02
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	16 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X23
元件数量：	7	端子数量：	23
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	68 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	260 ns
标称接通时间 (ton)：	26 ns	VCEsat-Max：	2 V
Base Number Matches：	1

FP10R06W1E3_B11 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FP10R06W1E3_B11

IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopper

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

TÝÎ = 25°C

V†Š»

600

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T† = 80°C, TÝÎ = 175°C

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

I†ÒÓÑ

I†

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t« = 1 ms

I†ç¢

PÚÓÚ

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

68,0

+/-20

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V•Š»

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I† = 10 A, V•Š = 15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ

TÝÎ = 150°C

1,55 2,00

1,70

1,80

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I† = 0,30 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C

V•Š = -15 V ... +15 V

V•ŠÚÌ

Q•

4,9

5,8

0,10

0,00

0,55

0,017

6,5

µC

Gateladung

gate charge

Interner Gatewiderstand

internal gate resistor

TÝÎ = 25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

CØþÙ

I†Š»

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V

V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C

V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

1,0

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

I•Š»

400 nA

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-on delay time (inductive load)

I† = 10 A, V†Š = 300 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 27 Â

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

0,012

µs

tÁ ÓÒ

tØ

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

I† = 10 A, V†Š = 300 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 27 Â

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

0,009

0,013

0,014

µs

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-off delay time (inductive load)

I† = 10 A, V†Š = 300 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 27 Â

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

0,10

0,12

0,125

µs

tÁ ÓËË

tË

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

I† = 10 A, V†Š = 300 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 27 Â

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

0,085

0,13

0,135

µs

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

I† = 10 A, V†Š = 300 V, L» = t.b.d. nH

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 27 Â

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

0,14

0,20

0,22

EÓÒ

EÓËË

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

I† = 10 A, V†Š = 300 V, L» = t.b.d. nH

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 27 Â

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

0,24

0,30

0,32

Kurzschlussverhalten

SC data

V•Š ù 15 V, V†† = 360 V

V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š · di/dt

t« ù 8 µs, TÝÎ = 25°C

t« ù 6 µs, TÝÎ = 150°C

I»†

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro IGBT / per IGBT

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

RÚÌœ†

RÚÌ†™

2,00 2,20 K/W

1,35 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

prepared by: DK

approved by: MB

date of publication: 2010-07-29

revision: 3.0

1 2 345 6 7...12

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FP10R06W1E3_B11 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FP20R06W1E3_B11	INFINEON	功能相似	EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT /
FP20R06W1E3	INFINEON	功能相似	EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC
FP10R06W1E3	INFINEON	功能相似	EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC

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FP10R06YE3	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FP10R06YE3_B4	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FP10R12KE3	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23
FP10R12NT3	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPIM-23
FP10R12W1T3	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FP10R12W1T4	INFINEON	获取价格	EasyPIM™ Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und
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FP10R12W1T4B11BOMA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-22

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