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FMY24N60ES

更新时间： 2024-03-03 10:10:25

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富士电机 - FUJI		/
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8页	504K
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TO-247

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FMY24N60ES 数据手册

FMY24N60ES

FUJI POWER MOSFET

Automotive

http://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/index.html

Safe operating area

ID=f (VDS)：Single pulse (D=0), Tc=25℃

Power Dissipation

PD=f (Tc)

10³

500

400

300

200

100

10²

t =

10μ s

10¹

100μ s

10⁰

1ms

10^-1

10ms

100ms

10^-2

10^-3

10^-1

10⁰

10¹

10²

10³

100

125

150

Tc [℃]

VDS [V]

Typical output characteristics

ID=f (VDS)：80μ s pulse test, Tc=25℃

Typical transfer characteristics

ID=f (VGS)：80μ s pulse test, VDS=10V, Tch=25℃

100

10V

20V

8.0V

7.0V

6.5V

VGS=6.0V

0.1

VGS [V]

VDS [V]

Typical Transconductance

gfs=f(ID):80μ s pulse test, VDS=25V, Tch=25℃

Typical Drain-Source on-State Resistance

RDS(on)=f (ID)：80μ s pulse test, Tch=25℃

100

0.8

Vgs=6.0V

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

6.5V

7.0V

8.0V

10V

20V

0.1

100

ID [A]

1 234 5 6 7 8

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