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FMP60N133S2FDHF

更新时间： 2024-03-03 10:10:18

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富士电机 - FUJI		/
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FMP60N133S2FDHF 数据手册

FUJI POWER MOSFET

FMP60N133S2FDHF

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/

Drain-Source On-state Resistance

Gate Threshold Voltage vs. T^ch

R^DS(on)=f(Tch):ID=11.4A,VGS=10V

VGS(th)=f(Tch) : VDS = VGS, ID=3.5mA

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

max.

typ.

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

T_ch[℃]

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

T_ch[℃]

Typical Transfer Characteristic

Typical Transconductance

I^D=f(VGS) : 80μs pulse test, VDS=25V

gfs=f(I^D) : 80μs pulse test, VDS=25V

100

Tch=25℃

150℃

Tch=25℃

0.1

100

I_D[A]

V_GS[V]

Typical Forward Characteristics of Reverse Diode

Typical Capacitance

I^SD=f(VSD):80 μs pulse test

C=f(V^DS) : VGS=0V, f=250kHz

100

100000

10000

1000

100

C_iss

150℃

Tch=25℃

C_oss

C_rss

0.1

0.5

1.5

0.1

100

1000

V_SD[V]

V_DS[V]

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