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FMP80N10T2 PDF预览

FMP80N10T2

更新时间: 2024-09-17 21:21:59
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
19页 371K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0128ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

FMP80N10T2 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.76
雪崩能效等级(Eas):728 mJ配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.0128 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FMP80N10T2 数据手册

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SPECIFICATION  
Device Name  
Type Name  
Spec. No.  
Date  
:
:
:
:
Power MOSFET  
FMP80N10T2  
MS5F6116  
Jun.-17-2005  
NAME  
APPROVED  
DATE  
Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.  
DRAWN  
Jun.-17-'05  
Jun.-17-'05  
a
CHECKED  
MS5F6116  
1 / 19  
CHECKED Jun.-17-'05  
H04-004-05  

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