FMMV105GTA

更新时间： 2024-09-13 13:07:51

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描述
Variable Capacitance Diode, 30V, Silicon, Hyperabrupt

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FMMV105GTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最小击穿电压：	30 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	21.73%
最小二极管电容比：	4	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.33 W
认证状态：	Not Qualified	最小质量因数：	250
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	变容二极管分类：	HYPERABRUPT
Base Number Matches：	1

FMMV105GTA 数据手册

SOT23 SILICON PLANAR

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

ISSUE 4 – JANUARY 1998

FMMV105G

PIN CONFIGURATION

PARTMARKING DETAILS

FMMV105G – 4EZ

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

P_tot

VALUE

330

UNIT

°C

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS.

Reverse Breakdown

Voltage

V_BR

I_R= 10µA

Reverse current

I_R

V_R= 28V

Series Inductance

L_S

T_CC

3.0

f=250MHz

Diode Capacitance

Temperature

Coefficient

280

ppm/ °C V_R= 3V, f=1MHz

TUNING CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

2.8 pF

6.0

CONDITIONS.

Diode Capacitance

Capacitance Ratio

Figure of MERIT

C_d

1.8

4.0

V_R= 25V, f=1MHz

V_R= 3V/25V, f=1MHz

_d/ C_d

250

350

V_R= 3V, f=50MHz

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