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FMMV2106TC

更新时间: 2024-11-01 14:14:07
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美台 - DIODES 光电二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
Variable Capacitance Diode, 18pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt

FMMV2106TC 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.16
其他特性:LOW NOISE最小击穿电压:30 V
配置:SINGLE最小二极管电容比:2.7
标称二极管电容:18 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.33 W
认证状态:Not Qualified最小质量因数:350
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL变容二极管分类:ABRUPT
Base Number Matches:1

FMMV2106TC 数据手册

  

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