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FMMTA56TA

更新时间： 2024-02-21 23:10:54
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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FMMTA56TA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.29最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
参考标准：CECC50002-244表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

FMMTA56TA 数据手册

  
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
FMMTA56  
MEDIUM POWER TRANSISTORS  
ISSUE 4 – MARCH 2001  
✪
FEATURES  
E
*
Gain of 50 at IC=100mA  
C
PARTMARKING DETAIL -  
FMMTA56 - 2G  
B
FMMTA56R - MB  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
FMMTA56  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-80  
-80  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-4  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
-500  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
FMMTA56  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT  
CONDITIONS.  
IC=-1mA, IB=0*  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICES  
-80  
-4  
V
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
V
IE=-100µA, IC=0  
VCE=-60V  
Collector-Emitter Cut-Off  
Current  
-0.1  
-0.1  
µA  
µA  
Collector-Base Cut-Off Current ICBO  
VCB=-80V, IE=0  
V
CB=-60V, IE=0  
Static Forward Current Transfer hFE  
Ratio  
50  
50  
IC=-10mA, VCE=1V*  
IC=-100mA, VCE=1V*  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
VBE(on)  
fT  
-0.25  
-1.2  
V
IC=-100mA, IB=-10mA*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
V
IC=-100mA, VCE=-1V*  
Transition  
Frequency  
100  
MHz  
IC=-10mA, VCE=-2V  
f=100MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
TBA  
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