FMMTA70

更新时间： 2024-02-14 14:20:48

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SOT23 PNP SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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FMMTA70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SOT-23, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.25	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	125 MHz

FMMTA70 数据手册

SOT23 PNP SILICON PLANAR

FMMTA70

SMALL SIGNAL TRANSISTOR

ISSUE 3 FEBRUARY 1996

PARTMARKING DETAIL

COMPLIMENTARY TYPE

FMMTA70 2CZ

FMMTA20

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CEO

V_EBO

I_C

VALUE

UNIT

Collector-Emitter Voltage

-40

-4

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

-100

°C

P_tot

330

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

I_C=-1mA, I_B=0

Collector-Emitter

Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-40

-4

Base-Emitter

Breakdown Voltage

I_E=-100µA, I_C=0

Collector Base Cut-Off

Current

-100

400

V_CB=-30V, I_E=0

Static Forward

Current Transfer

Ratio

h_FE

I_C=-5mA, V_CE=-10V*

I_C=-10mA, I_B=-1mA*

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

-0.25

Transition

Frequency

f_T

125

MHz

I_C=-5mA, V_CE=-10V

f=100MHz

Output Capacitance

C_obo

V_CB=-10V, I_E=0, f=100KHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice parameter data is available upon request for this device

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