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FMMTA93 PDF预览

FMMTA93

更新时间： 2024-01-07 22:37:52
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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FMMTA93 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.49Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A基于收集器的最大容量：8 pF
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.33 W
认证状态：Not Qualified参考标准：CECC50002-245
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.4 VBase Number Matches：1

FMMTA93 数据手册

 浏览型号FMMTA93的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
FMMTA92  
ISSUE 4 - MARCH 2001  
✪
PARTMARKING DETAILS:  
–
FMMTA92 - 4E  
E
–
FMMTA92R - 8E  
C
B
COMPLEMENTARY TYPES:  
–
FMMTA92 - FMMTA42  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
FMMTA92  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-300  
-300  
Collector-Emitter Voltage  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
-200  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
= 25°C).  
amb  
FMMTA92  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX. UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-300  
-300  
-5  
IC=-100µA, IE=0  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
V
V
IC=-1mA, IB=0*  
IE=-100µA, IC=0  
VCB=-200V, IE=0  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
-0.25  
µA  
µA  
V
CB=-160V, IE=0-  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-0.1  
-0.5  
µA  
VEB=-3V, IE=0  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
V
IC=-20mA, IB=-2mA*  
IC=-20mA, IB=-2mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
hFE  
-0.9  
V
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
25  
40  
25  
IC=-1mA, VCE=10V*  
IC=-10mA, VCE=10V*  
IC=-30mA,VCE=-10V*  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
50  
MHz  
pF  
IC=-10mA, VCE=-20V  
f=20MHz  
Cobo  
6
VCB=-20V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
TBA  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMTA93R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
FMMTA93RTA DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
FMMTA93RTC DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
FMMTA93TA DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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