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FMMT591QTA

更新时间： 2024-01-20 19:36:17

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	562K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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技术参数
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FMMT591QTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	13 weeks
风险等级：	5.58	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

FMMT591QTA 数据手册

FMMT591Q

Thermal Characteristics and Derating Information

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

V_CE(sat)

Limit

15 x 15mm FR4 1oz Copper

100m

100ms

10m

10ms

100s

15 x 15mm FR4

1oz Copper

1ms

100s

100

20 40 60 80 100 120 140 160

Temperature (^OC)

-V_CECollector-Emitter Voltage (V)

Safe Operating Area

Derating Curve

240

200

160

120

15 x 15mm FR4 1oz Copper

100

D=0.5

D=0.2

Single Pulse

D=0.05

D=0.1

0.1

100μ 1m 10m 100m

100

100μ 1m 10m 100m

100

Pulse Width (s)

Transient Thermal Impedance

Pulse Width (s)

Pulse Power Dissipation

3 of 7

www.diodes.com

March 2017

FMMT591Q

Document number: DS37010 Rev. 2 - 2

1 234 5 6 7

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与FMMT591QTA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FMMT591TA	DIODES	Medium power PNP transistor in SOT23	获取价格
FMMT591TC	DIODES	Transistor	获取价格
FMMT593	DIODES	SOT23 PNP SILICON PLANAR	获取价格
FMMT593	HTSEMI	TRANSISTOR (PNP)	获取价格
FMMT593	WEITRON	General Purpose Transistor PNP Silicon	获取价格
FMMT593	MCC	PNP Plastic-Encapsulate Transistor	获取价格