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FMMT591QTA

更新时间: 2024-01-21 17:09:00
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 562K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

FMMT591QTA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:13 weeks
风险等级:5.58其他特性:HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
参考标准:AEC-Q101表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1

FMMT591QTA 数据手册

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FMMT591Q  
Typical Electrical Characteristics (@TA = +25°C, unless otherwise specified.)  
5 of 7  
www.diodes.com  
March 2017  
© Diodes Incorporated  
FMMT591Q  
Document number: DS37010 Rev. 2 - 2  

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