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FMMT497

更新时间: 2024-09-22 22:48:59
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捷特科 - ZETEX 晶体小信号双极晶体管光电二极管高压局域网
页数 文件大小 规格书
2页 121K
描述
NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR

FMMT497 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.34最大集电极电流 (IC):0.5 A
基于收集器的最大容量:5 pF集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):75 MHz
最大关闭时间(toff):2808 ns最大开启时间(吨):179 ns
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

FMMT497 数据手册

 浏览型号FMMT497的Datasheet PDF文件第1页 
FMMT497  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
10mA  
100mA  
1A  
1A  
1A  
10mA  
100mA  
1A  
1mA  
1mA  
IC-Collector Current  
IC-Collector Current  
VCE(sat) v IC  
VCE(sat) v IC  
400  
0.9  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
300  
200  
100  
0
1mA  
10mA  
100mA  
1A  
10mA  
100mA  
1mA  
IC-Collector Current  
hFE V IC  
IC-Collector Current  
VBE(sat) v IC  
1
0.9  
0.8  
0.1  
0.01  
0.6  
0.4  
0.2  
0
µ
0.001  
1mA  
10mA  
100mA  
0.1  
1
10  
100  
1000  
IC-Collector Current  
VCE - Collector Emitter Voltage (V)  
VBE(on) v IC  
Safe Operating Area  
3 - 126  

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