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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT38C
FMMT38C PDF预览

FMMT38C

更新时间： 2024-11-17 12:20:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
2页 78K
描述
SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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FMMT38C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：7.51Samacsys Confidence：
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：581942
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Undefined or Miscellaneous
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：SOT91P240X120-3N
Samacsys Released Date：2017-01-11 16:09:24Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

FMMT38C 数据手册

 浏览型号FMMT38C的Datasheet PDF文件第2页 
FMMT38A /B Not Recommended for  
New Design Please Use FMMT38C  
FMMT38A  
FMMT38B  
FMMT38C  
SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM  
POWER DARLINGTON TRANSISTORS  
ISSUE 3 – AUGUST 1996  
FEATURES  
*
*
60 Volt VCEO  
Gain of 10K at IC=0.5 Amp  
E
C
PARTMARKING DETAILS –  
FMMT38A – 4J  
FMMT38B – 5J  
FMMT38C – 7J  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
80  
60  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
10  
V
Peak Pulse Current  
800  
mA  
mA  
mW  
°C  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
300  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
MAX.  
V
amb  
PARAMETER  
SYMBOL  
MIN.  
UNIT CONDITIONS.  
IC=10 A, IE=0  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
80  
Collector-Emitter  
VCEO(sus) 60  
V(BR)EBO 10  
ICBO  
V
V
IC=10mA, IB=0  
IE=10 A, IC=0  
VCB=60V, IE=0  
VEB=8V, IC=0  
Sustaining Voltage  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
100  
nA  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
100  
nA  
V
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
1.25  
IC=800mA, IB=8mA*  
Base-Emitter  
Turn-on Voltage  
VBE(on)  
1.8  
V
IC=800mA, VCE=5V*  
Static  
FMMT38A hFE  
500  
IC=100mA, VCE=5V*  
IC=500mA, VCE=5V*  
Forward  
Current  
Transfer  
Ratio  
1000  
FMMT38B  
FMMT38C  
2000  
4000  
IC=100mA, VCE=5V*  
IC=500mA, VCE=5V*  
5000  
10000  
IC=100mA, VCE=5V*  
IC=500mA, VCE=5V*  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle 2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 100  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT38CQ DIODES

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 		NPN, 60V, 0.3A, SOT23
FMMT38CTA DIODES

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