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FMMT3903 PDF预览

FMMT3903

更新时间： 2024-11-14 22:40:55
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页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS

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FMMT3903 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.32最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.33 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

FMMT3903 数据手册

 浏览型号FMMT3903的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 NPN SILICON PLANAR  
SWITCHING TRANSISTORS  
FMMT3903  
FMMT3904  
ISSUE 2 – SEPTEMBER 94  
✪
COMPLIMENTARY TYPES – FMMT3903 - FMMT3905  
FMMT3904 - FMMT3906  
E
C
B
PARTMARKING DETAIL –  
FMMT3903 - 1W  
FMMT3904 - 1A  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
60  
CollectorEmitter Voltage  
40  
V
EmitterBase Voltage  
6
200  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
FMMT3903 FMMT3904  
PARAMETER  
SYMBOL  
V(BR)CBO  
UNIT CONDITIONS.  
MIN. MAX. MIN. MAX.  
Collector Base  
Breakdown Voltage  
60  
40  
6
60  
40  
6
V
V
V
IC=10µA, IE=0  
IC=1mA, IB=0*  
IE=10µA, IC=0  
CollectorEmitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICEX  
EmitterBase  
Breakdown Voltage  
CollectorEmitter  
CutOff Current  
50  
50  
50  
50  
nA VCE=30V, VBE(off) =3V  
nA VCE=30V, VEB(off) =3V  
Base CutOff  
Current  
IBEX  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
hFE  
20  
35  
50  
30  
15  
40  
IC=0.1mA, VCE=1V*  
IC=1mA, VCE=1V*  
IC=10mA, VCE=1V*  
IC=50mA, VCE=1V*  
IC=100mA, VCE=1V*  
70  
150  
100  
60  
30  
300  
CollectorEmitter  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
0.2  
0.3  
0.2  
0.3  
V
V
IC=10mA, IB=1mA*  
IC=50mA, IB=5mA*  
Saturation Voltage  
BaseEmitter  
Saturation Voltage  
0.65 0.85 0.65 0.85  
V
V
IC=10mA, IB=1mA*  
IC=50mA, IB=5mA*  
0.95  
0.95  
Transition  
Frequency  
250  
300  
MHz IC=10mA, VCE=20V  
f=100MHz  
Output  
Cobo  
4
8
4
8
pF VCB=5V, IE=0, f=100KHz  
Capacitance  
Input Capacitance Cibo  
pF  
VBE=0.5V, IC=0, f=100KHz  
78  
12

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