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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT3905
FMMT3905 PDF预览

FMMT3905

更新时间： 2024-11-13 22:40:55
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管局域网
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2页 177K
描述
SOT23 PNP SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS

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FMMT3905 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.3Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.33 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：260 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

FMMT3905 数据手册

 浏览型号FMMT3905的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 PNP SILICON PLANAR  
SWITCHING TRANSISTORS  
FMMT3905  
FMMT3906  
ISSUE 4 – MARCH 2000  
PARTMARKING DETAILS -  
FMMT3905 - 2W  
FMMT3906 - 2A  
E
C
COMPLEMENTARY TYPES - FMMT3905 - FMMT3903  
FMMT3906 - FMMT3904  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-40  
-40  
CollectorEmitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
-5  
V
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
-200  
mA  
mW  
°C  
Ptot  
330  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL FMMT3905 FMMT3906. UNIT CONDITIONS.  
MIN MAX MIN MAX  
BreakdownVoltages V(BR)CBO  
-40  
-40  
-5  
-40  
-40  
-5  
V
V
V
IC=-10µA, IE=0  
IC=-1mA, IB=0*  
IE=-10µA, IC=0  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
Cut-Off Currents  
ICEX  
IBEX  
hFE  
-50  
-50  
-50  
-50  
nA VCE=-30V, VBE(off)=-3V  
nA VCE=-30V, VEB(off)=-3V  
Static Forward  
Current  
Transfer Ratio  
30  
40  
50  
30  
15  
60  
80  
100  
60  
IC=-0.1mA, VCE=-1V*  
IC=-1mA, VCE=-1V*  
IC=-10mA, VCE=-1V*  
IC=-50mA, VCE=-1V*  
IC=-100mA, VCE=-1V*  
150  
300  
30  
Saturation  
Voltages  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
-0.25  
-0.4  
0.25  
0.4  
V
V
IC=-10mA, IB=-1mA*  
IC=-50mA, IB=-5mA*  
-0.65 -0.85 -0.65 -0.85  
-0.95  
V
V
IC=-10mA, IB=-1mA*  
IC=-50mA, IB=-5mA*  
-0.95  
Transition  
Frequency  
200  
250  
MHz IC=-10mA, VCE=-20V  
f=100MHz  
Output Capacitance Cobo  
Input Capacitance Cibo  
4.5  
10  
5
4.5  
10  
4
pF  
pF  
dB  
VCB=-5V, IE=0, f=100KHz  
VBE=0.5V, IC=0, f=100KHz  
Noise Figure  
N
IC=-200mA, VCE=-5V  
Rg=2kΩ, f=30Hz to 15kHz  
at -3dB points  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=200µs. Duty cycle =1%  
PAGE NUMBER  
12

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