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FMM5815X

更新时间： 2024-02-04 08:37:31
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA 放大器射频微波功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 235K
描述
17.5-20GHz Power Amplifier MMIC

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FMM5815X 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.14Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT最大输入功率 (CW)：22 dBm
最大工作频率：20000 MHz最小工作频率：17500 MHz
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-65 °C
射频/微波设备类型：WIDE BAND MEDIUM POWERBase Number Matches：1

FMM5815X 数据手册

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FMM5815X  
17.5-20GHz Power Amplifier MMIC  
FEATURES  
• High Output Power: P  
= 31dBm (Typ.)  
1dB  
• High Gain: G  
= 21dB (Typ.)  
1dB  
= 30% (Typ.)  
• High PAE: η  
add  
• Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω  
• 0.25µm PHEMT Technology  
DESCRIPTION  
The FMM5815X is a high-gain, high linearity, 3-stage MMIC  
amplifier designed for operation in the17.5-20.0 GHz  
frequency range. This amplifier has an input and output  
designed for use in 50Ω systems.This device is well suited  
for point-to-point communication applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
V
Rating  
10  
Drain Voltage  
Gate Voltage  
Input Power  
V
DD  
V
T
-3.0  
22  
V
GG  
P
dBm  
in  
Storage Temperature  
-65 to +175  
-65 to +85  
°C  
°C  
stg  
T
Operating Backside Temperature  
op  
Fujitsu recommends the following conditions for the long term reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 6 volts.  
DD  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 4 and -0.39 mA respectively.  
3. This product should be hermetically packaged  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Tc=25°C)  
Limits  
Typ.  
Item  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
GHz  
f
Frequency Range  
17.5 - 20.0  
P
Output Power at 1 dB G.C.P.  
29.5  
31  
-
dBm  
1dB  
G
Power Gain at 1 dB G.C.P.  
Drain Current  
19  
-
21  
700  
30  
24  
950  
-
dB  
mA  
%
1dB  
V
= 6V  
= 600mA (Typ.)  
DD  
I
ddrf  
I
DD  
Z = Z = 50Ω  
S
L
η
Power-Added Efficiency  
Input Return Loss  
-
add  
RLin  
dB  
dB  
-
-
-12  
-8  
-
-
Output Return Loss  
RLout  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
∆f=10MHz, 2-Tone Test,  
Pout=20dBm S.C.L.  
IM  
3
-37.0 -40  
-
dBc  
Note 1: RF parameter sample size 10pcs. Criteria (accept/reject)=(0/1)  
Note 2: Electrical Characteristic is specified on RF-probe measurements  
G.C.P.: Gain Compression Point  
S.C.L.: Single Carrier Level  
Edition 1.0  
June 2001  
1
1234

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