Datasheet > FMM5823X

FMM5823X

更新时间： 2024-01-06 10:14:47

品牌	Logo	应用领域
EUDYNA		放大器射频微波功率放大器
页数	文件大小	规格书
15页	423K
描述
K-Band Power Amplifier MMIC

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FMM5823X 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.17	其他特性：	HIGH RELIABILITY
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
最大输入功率 (CW)：	22 dBm	最大工作频率：	27000 MHz
最小工作频率：	17700 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER
Base Number Matches：	1

FMM5823X 数据手册

FMM5823X

K-Band Power Amplifier MMIC

FEATURES

•High Output Power: P1dB = 27~29 dBm (Typ.)

•High Linear Gain: GL = 19 dB(Typ.)

•Frequency Band: 17.7 - 27.0 GHz

•High Linearity: OIP3 = 36.5dBm(typ.)

•Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω

DESCRIPTION

The FMM5823X is a power amplifier MMIC that contains a four

stage amplifier, internally matched, for standard communications

band in 17.7 to 27.0GHz frequency range. This product is well

suited for point-to-point radio applications.

Eudyna’s stringent Quality Assurance Program assures the

highest reliability and consistent performance.

ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Rating

Item

Symbol

VDD

VGG

Unit

Drain-Source Voltage

-3

Gate-Source Voltage

Input Power

dBm

℃

ꢀ-55 to +125

Storage Temperature

Tstg

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

Item

Condition

≦7

Symbol

Unit

dBm

℃

Drain-Source Voltage

VDD

Input Power

ꢀ-40 to +85

Operating Backside Temperature

This product should be hermetically packaged.

Top

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25℃)

Limits

Item

Symbol

Test Conditions

Unit

Min. Typ. Max.

Frequency Range

VDD=6.0V

17.7

25.0

27.0

19.7

GHz

dBm

Output Power at 1dB G.C.P.

Power Gain at 1dB G.C.P.

P1dB

G1dB

Nadd

IM3*

Iddrf

RLin

RLout

IDD(DC)=700mA typ.

Zs=Zl=50ohm

Power Added Efficiency at 1dB G.C.P.

Third Order Intermodulation

Drain Current at 1dB G.C.P.

Input Return Loss at Pin=-20dBm

Output Return Loss at Pin=-20dBm

Frequency Range

*df=10MHz,Po=19dBm -32

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ(S.C.L.)

-35

700

-7

dBc

1200

-8

VDD=6.0V

IDD(DC)=700mA typ.

Zs=Zl=50ohm

21.2

27.0

GHz

dBm

Output Power at 1dB G.C.P.

Power Gain at 1dB G.C.P.

P1dB

G1dB

Nadd

29.0

Power Added Efficiency at 1dB G.C.P.

Third Order Intermodulation

Drain Current at 1dB G.C.P.

Input Return Loss at Pin=-20dBm

Output Return Loss at Pin=-20dBm

IM3** **df=10MHz,Po=19dBm -32

-35

900

-7

dBc

Iddrf

RLin

RLout

ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ(S.C.L.)

1500

-10

Note : RF parameter sample size 10ps. Criteria (accept/reject)=(0/1)

G.C.P. : Gain Compression Point

S.C.L. : Single Carrier Level

Class 0

~ 199V

ESD

Note : Based on EIAJ ED-4701 C-111A(C=100pF, R=1.5kΩ)

Edition 1.2

January 2006

http://www.eudyna.com/

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与FMM5823X相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FMM5826X	EUDYNA	获取价格	Ka-Band Power Amplifier MMIC
FMM5829X	EUDYNA	获取价格	K-Band Power Amplifier MMIC
FMM60-02TF	IXYS	获取价格	Trench Gate HiperFET N-Channel Power MOSFET
FMM65-015P	IXYS	获取价格	Trench Power MOSFET
FMM6G20US60	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN
FMM6G20US60S	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 24PM-AA, 24 PIN
FMM6G30US60	FAIRCHILD	获取价格	Compact & Complex Module
FMM6G50US60	FAIRCHILD	获取价格	Compact & Complex Module
FMM6N0103J02L	KYOCERA AVX	获取价格	DC Filtering MPF Capacitor
FMM6N0103K02L	KYOCERA AVX	获取价格	DC Filtering MPF Capacitor

与FMM5823X相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

4
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

4
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

4
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FMM5823X

FMM5823X 技术参数

FMM5823X 数据手册

与FMM5823X相关器件

与FMM5823X相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FMM5823X

FMM5823X 技术参数

FMM5823X 数据手册

与FMM5823X相关器件

与FMM5823X相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？