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FMD40-06KC

更新时间： 2024-02-09 11:54:01

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IXYS		斩波器
页数	文件大小	规格书
2页	49K
描述
HiPerFET Power MOSFETs -Boost Chopper Topology in ISOPLUS i4-PAC

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FMD40-06KC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ISOPLUS, I4PAC-5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	38 A
最大漏极电流 (ID)：	38 A	最大漏源导通电阻：	0.07 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T5
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

FMD40-06KC 数据手册

Advanced Technical Information

FMD 40-06KC

I_D25= 38 A

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

-Boost Chopper Topology-

in ISOPLUS i4-PAC^TM

V_DSS= 600 V

R_DSon= 60 mΩ

Features

MOSFET

• fast CoolMOS power MOSFET - 3rd

generation

- high blocking voltage

Symbol

V_DSS

Conditions

Maximum Ratings

T_VJ= 25°C to 150°C

600

- low on resistance

-lowthermalsresistanceduetoreduced

chip thickness

V_GS

• HiPerDyn^TMFRED

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

- consisting of series connected diodes

- enhanced dynamic behaviour for

high frequency operation

• ISOPLUS i4-PAC^TMpackage

- isolated back surface

- low coupling capacity between pins

and heatsink

- enlarged creepage towards heatsink

- application friendly pinout

- low inductive current path

- high reliability

Symbol

Conditions

Characteristic Values

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

R_DSon

V_GSth

I_DSS

V_GS= 10 V;I_D= 20 A

70 mΩ

3.9

- industry standard outline

- UL registered, E 72873

V_DS= 20 V;I_D= 2.7 mA

2.1

V_DS= V_DSS;V_GS= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

25 µA

µA

Applications

250

• chopper for power factor correction

• supply of high frequency transformer

- switched mode power supplies

- welding converters

I_GSS

V_GS= 20 V; V_DS= 0 V

200 nA

Q_g

Q_gs

Q_gd

250

120

V_GS= 10 V; V_DS= 350 V; I_D= 47 A

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

110

V_GS= 10 V; V_DS= 380 V;

I_D= 47 A; R_G= 1.8 Ω

V_F

(reverse conduction) I_F= 20 A;V_GS= 0 V

0.9

R_thJC

R_thJS

0.45 K/W

K/W

tbd

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

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FMD40-06KC 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TK39A60W	TOSHIBA	功能相似	Switching Voltage Regulators
IXKF40N60SCD1	IXYS	功能相似	CoolMOS Power MOSFET with Series Schottky Diode and Ultra Fast Antiparallel Diode in High
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FMD-4206S	SANKEN	获取价格	高速整流二极管通过降低正向压降损耗和开关损耗，有助于提高开关电源的效率并降低开关噪声。
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FMD47-06KC5	LITTELFUSE	获取价格	此系列基于超级结技术的功率MOSFET拥有600V-800V级别MOSFET中最低的RDS
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FMD4S-W	RECTRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 400V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MD-S
FMD5S	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED MINI FAST RECOVERY SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER (VOLTAGE R
FMD5S-S	RECTRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 0.5A, 600V V(RRM),

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