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FMB2907AL99Z

更新时间： 2024-11-21 20:02:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 88K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SUPERSOT-6

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FMB2907AL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.79最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：80 ns最大开启时间（吨）：30 ns
Base Number Matches：1

FMB2907AL99Z 数据手册

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FMB2907A  
FFB2907A  
MMPQ2907A  
E2  
B2  
B4  
C2  
E1  
E4  
B3  
E3  
C1  
B2  
C1  
E2  
B1  
E1  
C4  
C4  
C2  
B2  
C3  
SC70-6  
B1  
E2  
C3  
C2  
pin #1  
Mark: .2F  
E1  
B1  
pin #1  
C2  
SOIC-16  
C1  
NOTE: The pinouts are symmetrical; pin 1 and pin  
4 are interchangeable. Units inside the carrier can  
be of either orientation and will not affect the  
functionality of the device.  
C1  
Mark:  
SuperSOT -6  
pin #1  
Mark: .2F  
MMPQ2907A  
Dot denotes pin #1  
PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier  
This device is designed for use as a general purpose amplifier and switch requiring  
collector currents to 500 mA. Sourced from Process 63.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
60  
V
V
5.0  
V
4
Collector Current - Continuous  
600  
mA  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
°
C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
FFB2907A  
FMB2907A  
MMPQ2907A  
PD  
RθJA  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Effective 4 Die  
300  
2.4  
415  
700  
5.6  
180  
1,000  
8.0  
mW  
mW/°C  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
125  
240  
Each Die  
1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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与FMB2907AL99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMB2907AT/R_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FR
FMB-29L SANKEN

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 		Schottky Barrier Diodes 90V
FMB-29LR SANKEN

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, Silicon, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN
FMB-29LS SANKEN

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 8A, Silicon, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN
FMB-29R SANKEN

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 		暂无描述
FMB-29S SANKEN

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, Silicon, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN
FMB-32 SANKEN

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 		Schottky Barrier Diodes 20V
FMB-32M SANKEN

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 		Schottky Barrier Diodes 20V
FMB33 SANKEN

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 		Rectifier Diode, Schottky, 15A, 30V V(RRM),
FMB-33S SANKEN

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 		Rectifier Diode, Schottky, 12A, 30V V(RRM),

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