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FMB-32M PDF预览

FMB-32M

更新时间： 2024-01-11 01:57:59
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三垦 - SANKEN 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 48K
描述
Schottky Barrier Diodes 20V

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FMB-32M 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.91Is Samacsys：N
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.47 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：20 V最大反向恢复时间：0.1 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

FMB-32M 数据手册

 浏览型号FMB-32M的Datasheet PDF文件第2页 
Schottky Barrier Diodes 20V  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Parameter  
IFSM  
(A)  
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Tj  
Tstg  
VF  
(V)  
IR  
(mA)  
IR  
t
(H)  
(mA)  
rr  
(ns)  
Rth (j-c)  
Mass  
(g)  
(°C) (°C)  
VRM  
(V)  
IF (AV)  
With  
(A)  
Remarks Fig.  
Type No.  
max per  
element  
VR =VRM  
max per element max per element  
V
R
=V  
, Ta=100°C  
IF  
(A)  
IF/IRP  
(mA)  
RM  
(°C/ W)  
Heatsink  
5.0  
100  
200  
100  
150  
200  
300  
5.0  
10.0  
5.0  
2.0  
5.0  
35  
65  
FMB-G12L  
FMB-G22H  
FMB-22L  
FMB-22H  
FMB-32  
A
B
1 Chip  
4.0  
2.0  
2.1  
5.5  
10.0  
2.0  
35  
100 500/500  
20  
0.47  
–40 to +150  
15.0  
20.0  
30.0  
7.5  
3.0  
50  
Center-  
tap  
10.0  
10.0  
5.0  
65  
C
10.0  
100  
FMB-32M  
FMB-G12L  
VF—IF Characteristics (Typical)  
VR —IR Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Tc —IF(AV) Derating  
V
R=20V  
5.0  
50  
10  
100  
80  
60  
40  
20  
0
30  
10  
=
T
a
125ºC  
100ºC  
D.C.  
=
t / T 1/6  
20ms  
4.0  
3.0  
2.0  
1.0  
0
Sinewave  
1
=
t / T 1/2  
1
60ºC  
27ºC  
=
t / T 1/ 3  
0.1  
=
T
a
125ºC  
100ºC  
60ºC  
0.1  
0.01  
27ºC  
0.01  
0.005  
0.001  
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7  
Forward Voltage VF (V)  
0
5
10  
15  
20  
25  
30 35  
1
5
10  
50  
50  
50  
80  
90  
100  
110  
120  
130  
Case Temperature Tc (°C)  
Reverse Voltage VR (V)  
Overcurrent Cycles  
FMB-G22H  
VF—IF Characteristics (Typical)  
VR —IR Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Tc —IF(AV) Derating  
VR=20V  
200  
100  
200  
160  
120  
80  
10.0  
8.0  
6.0  
4.0  
2.0  
0
50  
10  
=
t / T 1/2  
=
T
a
125ºC  
100ºC  
20ms  
D.C.  
Sinewave  
10  
1
=
t / T 1/ 3  
60ºC  
27ºC  
1
0.1  
=
T
a
125ºC  
100ºC  
60ºC  
0.1  
=
t / T 1/6  
0.01  
27ºC  
40  
0.01  
0.001  
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7  
Forward Voltage VF (V)  
0
5
10  
15  
20  
25  
30 35  
1
5
10  
80  
90  
100  
110  
120  
130  
Case Temperature Tc (°C)  
Reverse Voltage VR (V)  
Overcurrent Cycles  
FMB-22L  
VF—IF Characteristics (Typical)  
VR —IR Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Tc —IF(AV) Derating  
VR=20V  
10  
50  
10  
30  
10  
100  
80  
=
t / T 1/2  
=
T
a
125ºC  
20ms  
D.C.  
8
6
4
2
0
100ºC  
60ºC  
=
t / T 1/6  
1
0.1  
60  
1
Sinewave  
=
t / T 1/ 3  
=
T
a
125ºC  
100ºC  
60ºC  
40  
20  
0
0.1  
27ºC  
0.01  
0.001  
27ºC  
0.01  
0.005  
80  
90  
100  
110  
120  
130  
1
5
10  
Overcurrent Cycles  
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7  
Forward Voltage VF (V)  
0
5
10  
15  
20  
25  
30 35  
Case Temperature Tc (°C)  
Reverse Voltage VR (V)  
External Dimensions  
Fig.  
A
Fig.  
Fig.  
C
B
5.0  
15.0  
9.0  
4.2  
2.8  
4.2  
2.8  
(Unit: mm)  
10.0  
10.0  
3.3  
3.3  
3.3  
C 0.5  
C 0.5  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
1.35  
1.35  
2.3  
3.4  
1.0  
+0.2  
–0.1  
+0.2  
–0.1  
+0.2  
–0.1  
0.85 0.45  
5.08  
0.85 0.45  
2.54  
0.65  
2.4  
2.4  
2.54  
5.45  
5.45  
2.6  
80  
12

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