FMB200

更新时间： 2024-02-10 06:59:43

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
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4页	53K
描述
PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier

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FMB200 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	6.44
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

FMB200 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

FMB200

pin #1

SuperSOT -6

Mark: .N2

PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier

This device is designed for general purpose amplifier applications at collector

currents to 300 mA. Sourced from Process 68.

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

6.0

Collector Current - Continuous

500

°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

FMB200

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

700

5.6

180

mW/°C

°C/W

R_θJA

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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