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FM360BF

更新时间： 2024-09-09 21:14:47
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 111K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, SMBF, 2 PIN

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FM360BF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMBF, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.6其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：60 V最大反向电流：500 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FM360BF 数据手册

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FM320BF  
THRU  
FM3200BF  
SURFACE MOUNT  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
FEATURES  
* Metal silicon junction, majority carrier conduction  
* For surface mounted applictions  
* Low power loss, high efficiency  
* High forward surge current capability  
* For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Cathode  
MECHANICAL DATA  
2
Anode  
* Case:SMBF  
* Terminals:Solderable per MIL-STD-750,Method 2026  
* Approx Weight:57mg/0.002oz  
1
2
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.single phase,  
Simplified outline SMBF and symbol  
half wave,60Hz resistive or inductive load,for capacitive load,derate by20%  
Symbols  
Units  
V
Parameter  
FM320BF FM340BF FM360BF  
FM3120BFFM3150BF  
FM3200BF  
FM380BF FM3100BF  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
20  
14  
20  
40  
28  
40  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
120  
84  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
Maximum RMS voltage  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
100  
120  
V
IF(AV)  
3.0  
A
Peak Forward Surge Current,8.3ms  
Single Half Sine-wave Superimposed  
on Rated Load (JEDEC method)  
IFSM  
80  
70  
A
V
Max Instantaneous Forward Voltage at 3 A  
VF  
IR  
0.55  
0.70  
0.85  
0.95  
0.5  
0.3  
3
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Reverse Voltage  
Ta = 25 C  
Ta =100 C  
mA  
pF  
5
Typical Junction Capacitance 1  
450  
400  
Cj  
2
Typical Thermal Resistance  
C/W  
C
R JA  
Tj  
50  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-55 ~ +125  
-55 ~ +150  
Tstg  
C
NOTES: 1  
Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C.  
P.C.B. mounted with 0.5 X 0.5" (12.7 X 12.7 mm) copper pad areas.  
2016-06  
REV: O1  
2
12345

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