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FM25L16

更新时间： 2024-01-10 12:17:02
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铁电 - RAMTRON 存储
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14页 146K
描述
16Kb FRAM Serial 3V Memory

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FM25L16 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：8
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.12Is Samacsys：N
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：4.9 mm
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

FM25L16 数据手册

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FM25L16  
16Kb FRAM Serial 3V Memory  
Features  
Sophisticated Write Protection Scheme  
16K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
•
•
Hardware Protection  
Software Protection  
•
•
•
•
•
Organized as 2,048 x 8 bits  
Unlimited Read/Write Cycles  
45 Year Data Retention  
NoDelay™ Writes  
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process  
Low Power Consumption  
•
•
Low Voltage Operation 2.7-3.6V  
1 µA Standby Current  
Very Fast Serial Peripheral Interface - SPI  
Industry Standard Configuration  
•
•
•
Up to 18 MHz Frequency  
Direct Hardware Replacement for EEPROM  
SPI Mode 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)  
•
•
•
•
Industrial Temperature -40°C to +85°C  
“Green”/RoHS 8-pin SOIC Package  
“Green”/RoHS 8-pin TDFN Package  
TDFN Footprint Conforms to TSSOP-8  
Description  
Pin Configuration  
The FM25L16 is a 16-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or FRAM is  
nonvolatile and performs reads and writes like a  
RAM. It provides reliable data retention for 45 years  
while eliminating the complexities, overhead, and  
system level reliability problems caused by  
EEPROM and other nonvolatile memories.  
1
8
7
6
5
CS  
VDD  
HOLD  
SCK  
SI  
2
SO  
3
WP  
4
VSS  
Unlike serial EEPROMs, the FM25L16 performs  
write operations at bus speed. No write delays are  
incurred. Data is written to the memory array  
immediately after each byte has been transferred to  
the device. The next bus cycle may commence  
without the need for data polling. The product offers  
virtually unlimited write endurance, orders of  
magnitude more endurance than EEPROM. FRAM  
also exhibits much lower power during writes than  
EEPROM.  
/CS  
SO  
/WP  
VSS  
1
2
3
4
VDD  
/HOLD  
SCK  
SI  
8
7
6
5
Top View  
Pin Name  
/CS  
Function  
Chip Select  
/WP  
Write Protect  
Hold  
Serial Clock  
Serial Data Input  
Serial Data Output  
Supply Voltage  
Ground  
These capabilities make the FM25L16 ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes. Examples range from data collection,  
where the number of write cycles may be critical, to  
demanding industrial controls where the long write  
time of EEPROM can cause data loss.  
/HOLD  
SCK  
SI  
SO  
VDD  
VSS  
The FM25L16 provides substantial benefits to users  
of serial EEPROM as  
a
hardware drop-in  
replacement. The FM25L16 uses the high-speed SPI  
bus, which enhances the high-speed write capability  
of FRAM technology. Device specifications are  
guaranteed over an industrial temperature range of  
-40°C to +85°C.  
Ordering Information  
FM25L16-G  
“Green”/RoHS 8-pin SOIC  
FM25L16-DG  
“Green”/RoHS 8-pin TDFN  
This product conforms to specifications per the terms of the Ramtron  
standard warranty. The product has completed Ramtron’s internal  
qualification testing and has reached production status.  
Ramtron International Corporation  
1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921  
(800) 545-FRAM, (719) 481-7000  
www.ramtron.com  
Rev. 3.0  
Aug. 2006  
Page 1 of 14  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM25L16_06 RAMTRON

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 		16Kb FRAM Serial 3V Memory
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 		16Kb Serial 3V F-RAM Memory
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