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FM25L16B-G PDF预览

FM25L16B-G

更新时间： 2024-09-23 12:06:23
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
15页 432K
描述
16Kb Serial 3V F-RAM Memory

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FM25L16B-G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：0.82
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：659864Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：8-PIN SOIC (150 mils) 51-85066Samacsys Released Date：2017-11-01 07:34:21
Is Samacsys：NJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：8
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm最大待机电流：0.000006 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

FM25L16B-G 数据手册

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FM25L16B  
16Kb Serial 3V F-RAM Memory  
Features  
Sophisticated Write Protection Scheme  
Hardware Protection  
16K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
Organized as 2,048 x 8 bits  
Software Protection  
High Endurance 100 Trillion (1014) Read/Writes  
38 Year Data Retention (@ +75ºC)  
NoDelay™ Writes  
Low Power Consumption  
Low Voltage Operation 2.7-3.6V  
200 A Active Current (1 MHz)  
3 A (typ.) Standby Current  
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process  
Very Fast Serial Peripheral Interface - SPI  
Up to 20 MHz Frequency  
Industry Standard Configuration  
Direct Hardware Replacement for EEPROM  
SPI Mode 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)  
Industrial Temperature -40 C to +85 C  
8-pin “Green”/RoHS SOIC and TDFN Packages  
Description  
Pin Configuration  
The FM25L16B is a 16-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or F-RAM is  
nonvolatile and performs reads and writes like a  
RAM. It provides reliable data retention for 38 years  
while eliminating the complexities, overhead, and  
system level reliability problems caused by  
EEPROM and other nonvolatile memories.  
1
2
3
4
8
7
6
5
CS  
SO  
VDD  
HOLD  
SCK  
SI  
WP  
VSS  
Top View  
The FM25L16B performs write operations at bus  
speed. No write delays are incurred. Data is written to  
the memory array immediately after each byte has  
been transferred to the device. The next bus cycle  
may commence without the need for data polling.  
The FM25L16B is capable of supporting 1014  
read/write cycles, or a million times more write  
cycles than EEPROM.  
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD  
/CS  
SO  
/HOLD  
SCK  
SI  
/WP  
VSS  
Pin Name  
/CS  
/WP  
/HOLD  
SCK  
SI  
SO  
VDD  
VSS  
Function  
Chip Select  
Write Protect  
Hold  
These capabilities make the FM25L16B ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes. Examples range from data collection,  
where the number of write cycles may be critical, to  
demanding industrial controls where the long write  
time of EEPROM can cause data loss.  
Serial Clock  
Serial Data Input  
Serial Data Output  
Supply Voltage  
Ground  
The FM25L16B provides substantial benefits to users  
of serial EEPROM as  
a
hardware drop-in  
replacement. The FM25L16B uses the high-speed  
SPI bus, which enhances the high-speed write  
Ordering Information  
FM25L16B-G  
FM25L16B-GTR  
“Green”/RoHS 8-pin SOIC  
“Green”/RoHS 8-pin SOIC,  
Tape & Reel  
capability  
of  
F-RAM  
technology.  
Device  
specifications are guaranteed over an industrial  
temperature range of -40°C to +85°C.  
FM25L16B-DG  
FM25L16B-DGTR  
“Green”/RoHS 8-pin TDFN  
“Green”/RoHS 8-pin TDFN,  
Tape & Reel  
This product conforms to specifications per the terms of the Ramtron standard warranty. The product has completed Ramtron’s  
internal qualification testing and has reached production status.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Document Number: 001-84485 Rev. *A  
Revised March 07, 2013  
1234567...15

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FM25L16B-G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FM25L16B-DGTR CYPRESS

完全替代

 16Kb Serial 3V F-RAM Memory
FM25L16B-DG CYPRESS

完全替代

 16Kb Serial 3V F-RAM Memory
FM25L16B-GTR CYPRESS

功能相似

 16Kb Serial 3V F-RAM Memory

与FM25L16B-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM25L16B-GA RAMTRON

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 		Memory Circuit, 2KX8, CMOS, PDSO8, GREEN, MS-012AA, SOIC-8
FM25L16B-GATR CYPRESS

获取价格

 		Memory Circuit, 2KX8, CMOS, PDSO8, GREEN, MS-012AA, SOIC-8
FM25L16B-GATR RAMTRON

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 		暂无描述
FM25L16B-GTR RAMTRON

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FM25L16B-GTR CYPRESS

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 		Memory Circuit
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 		Memory Circuit, 2KX8, CMOS, PDSO8, GREEN, MS-012AA, SOIC-8

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