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FM25L04-G PDF预览

FM25L04-G

更新时间： 2024-02-18 18:10:52
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 188K
描述
4Kb FRAM Serial 3V Memory

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FM25L04-G 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：8
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.64Is Samacsys：N
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：4.9 mm
内存密度：4096 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：512 words
字数代码：512工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

FM25L04-G 数据手册

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Pre-Production  
FM25L04  
4Kb FRAM Serial 3V Memory  
Features  
Write Protection Scheme  
4K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM  
•
•
Hardware Protection  
Software Protection  
•
•
•
•
•
Organized as 512 x 8 bits  
Unlimited Read/Write Cycles  
45 Year Data Retention  
Low Power Consumption  
NoDelay™ Writes  
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process  
•
•
Low Voltage Operation 2.7-3.6V  
1 µA Standby Current  
Very Fast Serial Peripheral Interface - SPI  
Industry Standard Configuration  
•
•
•
Up to 14 MHz Frequency  
Direct Hardware Replacement for EEPROM  
SPI Mode 0 & 3 (CPOL, CPHA=0,0 & 1,1)  
•
•
•
Industrial Temperature -40°C to +85°C  
8-pin SOIC  
“Green” 8-pin SOIC  
Description  
Pin Configuration  
The FM25L04 is a 4-kilobit nonvolatile memory  
employing an advanced ferroelectric process. A  
ferroelectric random access memory or FRAM is  
nonvolatile and performs reads and writes like a  
RAM. It provides reliable data retention for 45 years  
while eliminating the complexities, overhead, and  
system level reliability problems caused by  
EEPROM and other nonvolatile memories.  
1
8
7
6
5
CS  
VDD  
HOLD  
SCK  
SI  
2
SO  
3
WP  
4
VSS  
Unlike serial EEPROMs, the FM25L04 performs  
write operations at bus speed. No write delays are  
incurred. The next bus cycle may commence  
immediately without the need for data polling. The  
next bus cycle may start immediately. In addition, the  
product offers virtually unlimited write endurance.  
Also, FRAM exhibits much lower power  
consumption than EEPROM.  
Pin Name  
/CS  
Function  
Chip Select  
Write Protect  
Hold  
/WP  
/HOLD  
SCK  
SI  
SO  
VDD  
VSS  
Serial Clock  
Serial Data Input  
Serial Data Output  
Supply Voltage  
Ground  
These capabilities make the FM25L04 ideal for  
nonvolatile memory applications requiring frequent  
or rapid writes or low power operation. Examples  
range from data collection, where the number of  
write cycles may be critical, to demanding industrial  
controls where the long write time of EEPROM can  
cause data loss.  
Ordering Information  
FM25L04-S  
FM25L04-G  
8-pin SOIC  
“Green” 8-pin SOIC  
The FM25L04 provides substantial benefits to users  
of serial EEPROM as  
a
hardware drop-in  
replacement. The FM25L04 uses the high-speed SPI  
bus, which enhances the high-speed write capability  
of FRAM technology. Device specifications are  
guaranteed over an industrial temperature range of  
-40°C to +85°C.  
This is a product in the pre-production phase of development. Device  
characterization is complete and Ramtron does not expect to change the  
specifications. Ramtron will issue a Product Change Notice if any  
specification changes are made.  
Ramtron International Corporation  
1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921  
(800) 545-FRAM, (719) 481-7000  
www.ramtron.com  
Rev. 2.0  
May 2005  
Page 1 of 12  
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与FM25L04-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM25L04-GA RAMTRON

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 		Memory Circuit, 512X8, CMOS, PDSO8, GREEN, MS-012AA, SOIC-8
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