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FLK012WF

更新时间： 2024-01-27 22:37:09
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE WF, 3 PIN

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FLK012WF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-MDFM-F2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.79其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 VFET 技术：JUNCTION
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-MDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：METAL封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：1.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

FLK012WF 数据手册

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FLK012WF  
X-Ku Band Power GaAs FETs  
FEATURES  
• High Output Power: P  
= 20.5dBm(Typ.)  
1dB  
= 7.5dB(Typ.)  
• High Gain: G  
1dB  
= 26%(Typ.)  
• High PAE: h  
add  
• Proven Reliability  
• Hermetic Metal/Ceramic Package  
DESCRIPTION  
The FLK012WF is a power GaAs FET that is designed for general  
purpose applications in the Ku-Band frequency range as it provides  
superior power, gain, and efficiency.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25¡C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
15  
-5  
V
V
DS  
GS  
T = 25¡C  
c
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
P
1.15  
-65 to +175  
175  
W
¡C  
¡C  
T
T
stg  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 10 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed +0.25 and -0.05 mA respectively with  
gate resistance of 3000W.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25¡C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
V
I
= 5V, V  
= 5V, I  
= 0V  
GS  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
-
-
60  
90  
-
mA  
DS  
DS  
DS  
DSS  
g
m
=40mA  
=3mA  
DS  
30  
mS  
V
DS  
Pinch-off Voltage  
V
= 5V, I  
-1.0  
-5  
-2.0 -3.5  
p
Gate Source Breakdown Voltage  
Output Power at 1dB G.C.P.  
V
-
-
-
-
-
V
= -3µA  
GSO  
GS  
P
19.5 20.5  
dBm  
dB  
1dB  
V
= 10V,  
DS  
Power Gain at 1dB G.C.P.  
Power-added Efficiency  
Noise Figure  
G
6.0  
-
7.5  
26  
I
= 0.6 I  
1dB  
DS  
f = 14.5 GHz  
DSS (Typ.),  
h
add  
%
NF  
V
= 3V,  
DS  
= 20mA  
-
-
-
2.5  
7
-
-
dB  
dB  
I
DS  
f = 12 GHz  
(Typ.),  
Associated Gain  
Gas  
R
th  
Thermal Resistance  
Channel to Case  
65  
130  
¡C/W  
G.C.P.: Gain Compression Point  
CASE STYLE: WF  
Data Sheets  
1998 Microwave Databook  
252  
1234

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