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FJX3002RTF PDF预览

FJX3002RTF

更新时间： 2024-11-02 19:49:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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FJX3002RTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.53其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

FJX3002RTF 数据手册

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FJX3002R  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
3
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R =10KΩ, R =10KΩ)  
1
2
Complement to FJX4002R  
2
1
SOT-323  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Equivalent Circuit  
C
Marking  
R1  
S02  
B
R2  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
E
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
50  
V
CEO  
EBO  
10  
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
200  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
50  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I =100µA, I =0  
50  
C
B
I
V
=40V, I =0  
0.1  
0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=5V, I =5mA  
30  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =0.5mA  
V
CE  
C
B
f
V
=10V, I =5mA  
250  
3.7  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
=10V, I =0  
E
ob  
CB  
f=1.0MHz  
V (off)  
Input Off Voltage  
Input On Voltage  
Input Resistor  
V
V
=5V, I =100µA  
0.5  
V
V
I
CE  
CE  
C
V (on)  
=0.3V, I =10mA  
3
I
C
R
7
10  
1
13  
1.1  
KΩ  
1
R /R  
Resistor Ratio  
0.9  
1
2
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
1234

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FJX3002RTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DDTC114EUA-7-F DIODES

完全替代

 NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-323 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
PDTC114EU,115 NXP

功能相似

 PDTC114E series - NPN resistor-equipped trans
MUN5211T1G ONSEMI

功能相似

 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS

与FJX3002RTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FJX3002RTNR FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FJX3003R FAIRCHILD

获取价格

 		Switching Application
FJX3003RTF ROCHESTER

获取价格

 		100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
FJX3003RTF FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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