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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJX3904TF
FJX3904TF PDF预览

FJX3904TF

更新时间： 2024-01-12 03:07:46
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 137K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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FJX3904TF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：7.61
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

FJX3904TF 数据手册

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January 2007  
FJX3904  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
•
General Purpose Transistor  
3
2
1
SOT-323  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
VCBO  
Collector-Base Voltage  
60  
40  
VCES  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
6
V
200  
mA  
mW  
°C  
PC  
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
350  
TSTG  
-55 ~ 150  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics*  
T = 25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICEX  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Conditions  
Min.  
60  
Max.  
Units  
IC=10µA, IE=0  
V
V
IC=1mA, IB=0  
40  
IE=10µA, IC=0  
VCE=30V, VEB=3V  
6
V
50  
nA  
hFE  
* DC Current Gain  
VCE=1V, IC=0.1mA  
VCE=1V, IC=1mA  
VCE=1V, IC=10mA  
VCE=1V, IC=50mA  
VCE=1V, IC=100mA  
40  
70  
100  
60  
300  
30  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
IC=10mA, IB=1mA  
IC=50mA, IB=5mA  
0.2  
0.3  
V
V
IC=10mA, IB=1mA  
IC=50mA, IB=5mA  
0.65  
300  
0.85  
0.95  
V
V
Cob  
fT  
Output Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Noise Figure  
VCB=5V, IE=0, f=1MHz  
VCE=20V, IC=10mA  
4
pF  
MHz  
dB  
NF  
IC=100µA, VCE=5V, RS=1KΩ  
5
f=10Hz to 15.7KHz  
tON  
Turn On Time  
Turn Off Time  
VCC=3V, VBE=0.5V  
IC=10mA, IB1=1mA  
70  
ns  
ns  
tOFF  
VCC=3V, IC=10mA  
IB1=IB2=1mA  
250  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FJX3904 Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
1234

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