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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FJNS3215R
FJNS3215R PDF预览

FJNS3215R

更新时间： 2024-11-09 22:32:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor

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FJNS3215R 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92S
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.8
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.54最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：33JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

FJNS3215R 数据手册

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FJNS3215R  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R1=2.2KΩ, R2=10KΩ)  
TO-92S  
1.Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Equivalent Circuit  
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Value  
Units  
C
V
50  
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
50  
V
R1  
B
10  
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
R2  
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
300  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
E
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
50  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10µA, I =0  
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I =100µA, I =0  
50  
V
C
B
I
V
=40V, I =0  
0.1  
0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=5V, I =10mA  
33  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =0.5mA  
V
CE  
C
B
f
V
=10V, I =5mA  
250  
3.7  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
=10V, I =0  
E
ob  
CB  
f=1.0MHz  
V (off)  
Input Off Voltage  
Input On Voltage  
Input Resistor  
V
V
=5V, I =100µΑ  
0.3  
V
V
I
CE  
CE  
C
V (on)  
=0.3V, I =20mA  
3
I
C
R
1.5  
2.2  
2.9  
KΩ  
1
R /R  
Resistor Ratio  
0.20  
0.22  
0.25  
1
2
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, August 2002  
1234

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