5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.2 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 175 ns | 最大开启时间（吨）： | 38 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FMB3904 | FAIRCHILD |
类似代替  |
NPN General Purpose Amplifier |
|
| MMDT3904-7-F | DIODES |
功能相似 |
DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| MBT3904DW1T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Dual General Purpose Transistors |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FFB3904_1 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier |
|
| FFB3904D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SC-70, |
|
| FFB3906 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Multi-Chip General Purpose Amplifier |
|
| FFB3906 | ONSEMI |
获取价格 |
PNP 多芯片通用放大器 |
|
| FFB3906_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-70, |
|
| FFB3906D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, SC-70, |
|
| FFB3946 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN & PNP General Purpose Amplifier |
|
| FFB3946 | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 和 PNP 通用放大器 |
|
| FFB3946_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
|
| FFB3946D | FS |
获取价格 |
Dual General Purpose Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
