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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FFB3946_NL
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FFB3946_NL

更新时间： 2024-11-30 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 43K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, LEAD FREE, SC-70, 6 PIN

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FFB3946_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.54
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

FFB3946_NL 数据手册

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FMB3946  
FFB3946  
E2  
C2  
E1  
B2  
TRANSISTOR TYPE  
C1  
C1 B1 E1  
C2 B2 E2  
NPN  
PNP  
C1  
C2  
SC70-6  
B2  
B1  
pin #1  
E2  
E1  
Mark: .AB  
SuperSOT -6  
B1  
pin #1  
Dot denotes pin #1  
Mark: .002  
Dot denotes pin #1  
NPN & PNP General Purpose Amplifier  
This complementary device is designed for use as a general purpose  
amplifier and switch The useful dynamic range extends to 100 mA as a  
switch and 100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23 and 66.  
See FFB3904 (NPN) and FFB3906 (PNP) for characteristics.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
40  
V
V
4
5.0  
200  
V
Collector Current - Continuous  
mA  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
°
C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
3) All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
FFB3946  
FMB3946  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
300  
2.4  
415  
700  
5.6  
180  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJA  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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