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FF50R12RT4

更新时间: 2024-11-07 14:53:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 双极性晶体管二极管
页数 文件大小 规格书
9页 585K
描述
34 mm 1200 V, 50 A 双 IGBT 模块,采用第四代快速沟槽栅/场终止 IGBT 和第四代发射极控制二极管,是您设计工作的不二之选。

FF50R12RT4 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数:7
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.08外壳连接:ISOLATED
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-X5湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:5
最高工作温度:175 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):490 ns
标称接通时间 (ton):185 nsBase Number Matches:1

FF50R12RT4 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF50R12RT4  
34mmꢀModulꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiode  
34mmꢀmoduleꢀwithꢀfastꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiode  
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 1200V  
IC nom = 50A / ICRM = 100A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Hochleistungsumrichter  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• HighꢀPowerꢀConverters  
• MotorꢀDrives  
• USV-Systeme  
• UPSꢀSystems  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop  
• NiedrigeꢀSchaltverluste  
ElectricalꢀFeatures  
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀTvjꢀop  
• LowꢀSwitchingꢀLosses  
• LowꢀVCEsat  
• NiedrigesꢀVCEsat  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten  
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient  
MechanischeꢀEigenschaften  
• IsolierteꢀBodenplatte  
• Standardgehäuse  
MechanicalꢀFeatures  
• IsolatedꢀBaseꢀPlate  
• StandardꢀHousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀMK  
approvedꢀby:ꢀRO  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.0  
1

FF50R12RT4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FF50R12RT4HOSA1 INFINEON

完全替代

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
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