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FF50R12RT4HOSA1 PDF预览

FF50R12RT4HOSA1

更新时间： 2024-11-18 21:05:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 547K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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FF50R12RT4HOSA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：14 weeks风险等级：1.21
外壳连接：ISOLATED集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X5
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：5最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：490 ns标称接通时间 (ton)：185 ns
Base Number Matches：1

FF50R12RT4HOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF50R12RT4  
34mmꢀModulꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiode  
34mmꢀmoduleꢀwithꢀfastꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiode  
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 1200V  
IC nom = 50A / ICRM = 100A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Hochleistungsumrichter  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• HighꢀPowerꢀConverters  
• MotorꢀDrives  
• USV-Systeme  
• UPSꢀSystems  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop  
• NiedrigeꢀSchaltverluste  
ElectricalꢀFeatures  
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀTvjꢀop  
• LowꢀSwitchingꢀLosses  
• LowꢀVCEsat  
• NiedrigesꢀVCEsat  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten  
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient  
MechanischeꢀEigenschaften  
• IsolierteꢀBodenplatte  
• Standardgehäuse  
MechanicalꢀFeatures  
• IsolatedꢀBaseꢀPlate  
• StandardꢀHousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀMK  
approvedꢀby:ꢀRO  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.0  
1
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FF50R12RT4HOSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FF50R12RT4 INFINEON

完全替代

 34 mm 1200 V, 50 A 双 IGBT 模块，采用第四代快速沟槽栅/场终止 I

与FF50R12RT4HOSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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