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F4-50R12MS4 PDF预览

F4-50R12MS4

更新时间： 2024-11-09 06:58:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 1209K
描述
EconoDUAL™2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC

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F4-50R12MS4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：MODULE-14针数：14
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.74
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：70 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X14
元件数量：4端子数量：14
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：355 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：390 ns标称接通时间 (ton)：190 ns
VCEsat-Max：3.75 V

F4-50R12MS4 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
F4-50R12MS4  
EconoDUAL™2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC  
EconoDUAL™2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTC  
V†Š» = 1200V  
I† ÒÓÑ = 50A / I†ç¢ = 100A  
Typische Anwendungen  
Hochfrequenz-Anwendungen  
Typical Applications  
High Frequency Switching Application  
••  
Elektrische Eigenschaften  
Electrical Features  
Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender  
••  
Kurzschlussstrom  
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short  
Circuit Current  
Niedrige Schaltverluste  
••  
Low Switching Losses  
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten  
••  
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient  
Mechanische Eigenschaften  
Mechanical Features  
Package with CTI > 200  
Isolated Base Plate  
Standard Housing  
Gehäuse mit CTI > 200  
••  
Isolierte Bodenplatte  
••  
Standardgehäuse  
••  
Module Label Code  
Barcode Code 128  
Content of the Code  
Digit  
Module Serial Number  
1 - 5  
Module Material Number  
Production Order Number  
Datecode (Production Year)  
Datecode (Production Week)  
6 - 11  
12 - 19  
20 - 21  
22 - 23  
DMX - Code  
prepared by: MK  
approved by: RO  
date of publication: 2009-08-12  
revision: 3.1  
material no: 29010  
UL approved (E83335)  
1
1234567...9

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F4-50R12MS4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FF50R12RT4 INFINEON

功能相似

 34 mm 1200 V, 50 A 双 IGBT 模块，采用第四代快速沟槽栅/场终止 I
FF50R12RT4HOSA1 INFINEON

功能相似

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

与F4-50R12MS4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
F450R12MS4BOMA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-14
F450RD183F1K0C KEMET

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 		PHE450 Series Double Metallized Polypropylene Film
F450RD183F1K6C KEMET

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 		PHE450 Series Double Metallized Polypropylene Film
F450RD183F250C KEMET

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 		PHE450 Series Double Metallized Polypropylene Film
F450RD183F2K0C KEMET

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 		PHE450 Series Double Metallized Polypropylene Film
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