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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF50R06KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
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| FF50R06KL2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
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| FF50R10K | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | MODULE-S |
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| FF50R10KF2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
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| FF50R10KN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
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| FF50R12KF | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
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| FF50R12KF2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
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| FF50R12KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | M:HL080HD5.3 |
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| FF50R12RT4 | INFINEON |
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34 mm 1200 V, 50 A 双 IGBT 模块，采用第四代快速沟槽栅/场终止 I |
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| FF50R12RT4HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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