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FDZ372NZ

更新时间： 2024-09-16 12:27:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 297K
描述
N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET

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FDZ372NZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：CSP包装说明：GRID ARRAY, S-PBGA-B4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
其他特性：ESD PROTECTION配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.7 A
最大漏极电流 (ID)：4.7 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：100 pF
JESD-30 代码：S-PBGA-B4JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.7 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

FDZ372NZ 数据手册

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March 2010  
FDZ372NZ  
N-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET  
20 V, 4.7 A, 50 mΩ  
Features  
General Description  
Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench® process  
with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process,  
the FDZ372NZ minimizes both PCB space and rDS(on). This  
advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in  
packaging technology which enables the device to combine  
excellent thermal transfer characteristics, ultra-low profile  
„ Max rDS(on) = 50 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 2 A  
„ Max rDS(on) = 60 mΩ at VGS = 2.5 V, ID = 2 A  
„ Max rDS(on) = 72 mΩ at VGS = 1.8 V, ID = 1 A  
„ Max rDS(on) = 93 mΩ at VGS = 1.5 V, ID = 1 A  
packaging, low gate charge, and low rDS(on)  
.
„ Occupies only 1.0 mm2 of PCB area. Less than 30% of the  
area of 2x2 BGA  
Applications  
„ Ultra-thin package: less than 0.4 mm height when mounted  
„ Battery management  
„ Load switch  
to PCB  
„ HBM ESD protection level > 3200V (Note3)  
„ RoHS Compliant  
„ Battery protection  
Pin 1  
S
S
D
G
Pin 1  
TOP  
BOTTOM  
WL-CSP 1.0X1.0 Thin  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
20  
V
V
±8  
4.7  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
ID  
A
12  
Power Dissipation  
TA = 25 °C  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.7  
PD  
W
Power Dissipation  
0.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
75  
°C/W  
260  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
7 ’’  
Tape Width  
8 mm  
Quantity  
L
FDZ372NZ  
WL-CSP 1.0x1.0 Thin  
5000 units  
1
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDZ372NZ Rev.C2  
www.fairchildsemi.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDZ375P FAIRCHILD

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 		P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin
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 		P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin
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 		D Subminiature Connector, 37 Contact(s), Male, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
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 		D Subminiature Connector, 37 Contact(s), Male, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
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 		D Subminiature Connector, 37 Contact(s), Male, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT
FDZ37PG1SL-K1019 MOLEX

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 		CONNECTOR,D-SHELL,PCB MNT,RECEPT,37+37 CONTACTS,PIN,0.109 PITCH,PC TAIL TERMINAL,M3
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