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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | MLP |
| 包装说明： | 5 X 4.50 MM, ROHS COMPLIANT, MLP, 12 PIN | 针数： | 12 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | 2 BANKS, COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.11 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-N12 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 12 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 37 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMQ8205 | ONSEMI |
获取价格 |
GreenBridgeTM 2 系列高效桥式整流器 |
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| FDMQ8205A | ONSEMI |
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GreenBridgeTM 2 系列高效桥式整流器 |
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| FDMQ8403 | FAIRCHILD |
获取价格 |
GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridg |
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| FDMQ8403 | ONSEMI |
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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，GreenBridge™ 系列高效桥式整 |
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| FDMQ86530L | ONSEMI |
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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，GreenBridge™ 系列高效桥式整 |
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| FDMQ86530L | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 8 A, 17. |
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| FDMQ86530L_13 | FAIRCHILD |
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GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDMS001N025DSD | ONSEMI |
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25 V，不对称双 N 沟道，PowerTrench® Power Clip MOSFET |
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| FDMS003N08C | ONSEMI |
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N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80 V，147 A，3.1 |
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| FDMS004N08C | ONSEMI |
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N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，126A，4.0mΩ |
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